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目前全球僅有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī),，而制造7nm以下芯片,，又必須使用到EUV光刻機(jī)，所以ASML相當(dāng)于卡住了全球先進(jìn)晶圓廠的脖子,。

于是ASML推出的1.5億歐元的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī),，臺(tái)積電等廠商不得不買，后來(lái)再推出3.5億歐元的High NA EUV光刻機(jī),，intel們繼續(xù)買,。

靠著這樣不斷升級(jí)EUV光刻機(jī)，ASML賺的盆滿缽滿,。

而為了壟斷EUV光刻機(jī)生意,，ASML將EUV光刻系統(tǒng)上的眾多供應(yīng)鏈，捆綁在了自己戰(zhàn)車,，收購(gòu)的收購(gòu),，投資的投資，反正讓其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,，沒有合作的機(jī)會(huì)。

比如蔡司,，比如TRUMPF,、比如Cymer等，均綁上了ASML戰(zhàn)車。

可以說(shuō),，其它企業(yè),，如果想走ASML的路線來(lái)造EUV光刻機(jī)，基本沒戲,，除非換一條新道路,，才有可能性。

而近日,，這條新道路出現(xiàn)了,，EUV光刻機(jī)中，最重要的EUV光源部分,，有了新的解決方案,，且新方案，比舊方案,，成本更低,，功率更高，技術(shù)更為先進(jìn),。

舊方案中,，產(chǎn)生EUV光線，是非常麻煩的,，方案叫做”激光等離子體EUV光源（EUV-LPP）“,，是用二氧化碳激光器，轟擊錫金屬液滴,，將這些錫珠蒸發(fā)成等離子體,，放射出極紫外線（EUV）了，再通過(guò)透鏡,，對(duì)EUV進(jìn)行收集,。

這個(gè)過(guò)程非常復(fù)雜，成本也非常高,，同時(shí)功率轉(zhuǎn)化率非常低,，大約只有3-5%的轉(zhuǎn)化率。所以現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)都是電老虎,，就是因?yàn)楣β兽D(zhuǎn)化率非常低,，最終能夠使用的功率也低。

而新的方案叫做自由電子激光器（FEL）,，用這種方案,，同樣能夠生產(chǎn)EUV光源，讓來(lái)自電子加速器的電子束在波蕩器中發(fā)光,，然后再放大FEL光,，得到EUV--FEL光源。

與舊方案相比，一旦成本低多了,，不需要錫球,，再用二氧化碳激光器來(lái)激發(fā)，同時(shí)功率轉(zhuǎn)化損失也不會(huì)非常大,。

按照說(shuō)法,，如果采用EUV FEL方案來(lái)制造光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)的制造成本降了很多,，可能只有原先的一半都不到,。

更重要的是，因?yàn)楣β兽D(zhuǎn)化高多了,，不像以前只有3-5%,，現(xiàn)在可以高達(dá)30%以上，后續(xù)EUV光刻機(jī)也不會(huì)成為電老虎,，耗電量大大降低,，變?yōu)樵瓉?lái)的五分之一，都有可能,。

不僅如此,，EUV-FEL還可以升級(jí)為BEUV-FEL，產(chǎn)生更短的波長(zhǎng)（6.6-6.7 nm）,，比EUV的13.5nm波長(zhǎng)更知,，這樣分辨率更高，能制造更先進(jìn)的芯片,。

所以很多科學(xué)家表示,，EUV-FEL光束明顯更適合作為EUV光刻機(jī)的光源。

目前美國(guó),、日本已經(jīng)有機(jī)構(gòu)在研究這種EUV-FEL技術(shù),，按照說(shuō)法，雖然短時(shí)間之內(nèi),，還無(wú)法利用這個(gè)技術(shù)制造出EUV光刻機(jī),，但相信也不會(huì)太久了，也許三年,、五年就能夠制造出來(lái)了,。

不知道ASML怎么看？一旦這種EUV光刻機(jī)面市,，那么對(duì)整個(gè)EUV光刻機(jī)生態(tài),，將面臨大洗牌，那么全球半導(dǎo)體格局都會(huì)發(fā)生巨大變化,，不知道ASML慌不慌,？